isicad.ru :: портал САПР, PLM и ERP :: версия для печати

Статьи

29 июня 2015

Микроэлектронный САПР: вчера, сегодня, завтра

Александр Стемпковский, академик РАН

Александр Леонидович Стемпковский – академик Российской академии наук (РАН), доктор технических наук, профессор. Директор Института проблем проектирования в микроэлектронике РАН (с 1992 года).

Выпускник факультета микроприборов и технической кибернетики Московского института электронной техники 1973 года. Член-корреспондент РАН (2000), академик РАН (2006) по Отделению нанотехнологий и информационных технологий.

Оригинал опубликован 29 июня в №26-27 (950) журнала «Эксперт», редакция которого любезно разрешила порталу isicad.ru данную перепечатку.

САПР микроэлектроники картинка и MAIN

Необходимо полностью поменять политику государственного финансирования микроэлектроники, переместив фокус с разрозненных проектов на создание инфраструктуры, доступной для всех предприятий страны


Современное машиностроение неотделимо от электроники. Проектирование электронных устройств, как и всей промышленной продукции, уже невозможно без систем автоматического проектирования (САПР). Если у вас нет собственной САПР электроники, то у вас, скорее всего, нет и собственной полноценной разработки. САПР микроэлектроники составляет особый класс этих систем, который требует самостоятельного подхода к решению проблем его импортозамещения.

Александр Стемпковский

Александр Стемпковский

Сегодня

Введение международных санкций против России заставило по-новому взглянуть на то, в каких областях экономики, науки и техники мы наиболее уязвимы. Безусловно, на одном из первых мест в этом печальном списке оказалась отечественная микроэлектроника. И дело не только в том, что мы значительно отстаем в этой области техники, но и в том, что микроэлектроника с каждым годом занимает все более важное место в развитии общества.

Во весь рост встала проблема импортозамещения зарубежной элементной базы на отечественную, которая должна быть полностью разработана и изготовлена в нашей стране. Но, к сожалению, Россия не располагает современными полупроводниковыми производствами достаточной мощности. Но и это еще не все. Разработки интегральных схем, которые базируются на современных системах автоматизированного проектирования, тоже полностью зависят от западных, а конкретнее, от американских поставок, поскольку уже долгое время рынок микроэлектронных САПР полностью монополизирован тремя американскими компаниями: Mentor Graphics, Cadence и Synopsis.

Следует отметить, что чрезвычайно дорогостоящее микроэлектронное производство совершенно беспомощно без САПР, а в стоимости самой интегральной схемы доминирует стоимость разработки, а не производства. Именно по причине крайней дороговизны американских САПР роскошь покупки временных лицензий на их использование могут себе позволить только крупные дизайн-центры и они совершенно недоступны для малых предприятий. Таким образом, потенциал страны в разработке интегральных схем тоже очень ограничен. По оценкам экспертов, потребность импортозамещения интегральных схем значительно превышает наши возможности по проектированию и производству.

Вчера

Не всегда было так. В далеком 1986 году мы всего на пять лет отставали от США в области разработки и производства интегральных схем, причем этот разрыв год от года сокращался. Полупроводниковые предприятия были оснащены на 80% отечественным технологическим оборудованием и материалами, имели свои САПР и полностью обеспечивали выполнение государственных заданий. Именно в 1986 году руководство страны приняло решение о создании в городе Зеленограде крупного межведомственного Центра информатики и электроники (ЦИЭ), основной задачей которого было создание и опережающее развитие отечественной элементной базы и компьютерной техники. Ставилась задача мирового лидерства в этих областях науки и техники.

Одним из крупных НИИ в составе ЦИЭ должен был стать НИИ САПР радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) и сверхбольших интегральных схем (СБИС), позднее — Институт проблем проектирования в микроэлектронике Российской академии наук, ИППМ РАН, основной задачей которого являлось исследование и разработка перспективной САПР РЭА и СБИС.

Наш институт был создан на временных площадях и включился в активную работу, не дожидаясь обещанного большого здания и мощной компьютерной техники. Был создан малочисленный, но многообещающий научный коллектив. Наши иностранные коллеги с удивлением отмечали, что в условиях многолетнего крайне ограниченного обмена информацией исследователи, зачастую разными путями, приходили к похожим результатам. Вообще, все отмечали приблизительно одинаковый уровень состояния исследований, то есть в научном плане мы никому не уступали.

В начале 1990-х проект создания ЦИЭ был остановлен. Отдельные предприятия ЦИЭ, включая ИППМ РАН, которые успели открыться на временных площадках, уцелели, но функционировали совершенно в другом, десятикратно уменьшенном масштабе. Микроэлектронные производства находились в состоянии упадка. Это привело к страшному отток кадров из научных институтов, и единственным спасением представлялось сотрудничество с зарубежными компаниями. Были организованы совместные работы с такими мировыми лидерами, как Калифорнийский университет в Беркли (США), Университет Карнеги-Меллон (Питтсбург, США) и так далее. Выполнялись контрактные работы по заказам ведущих фирм, таких как Siemens, Motorola, Mentor Graphics, Intel и т. д. Практически все работы, сделанные на заказ, были внедрены за рубежом, большей частью в США. Удивительно, но коллективы, проводившие эти сложнейшие работы, были совершенно не востребованы в России.

Двадцать первый век принес в Россию перемены. Многое стало улучшаться, были закуплены и внедрены импортные технологические линии по производству интегральных схем. Более того, на базе этой линии были разработаны новые технологии следующего поколения.

Но, к сожалению, в области САПР интегральных схем лучше не стало. Ориентация на американские САПР сохранилась. Работы по САПР не финансировались и не финансируются до сих пор. По этой причине мы практически не имеем российских САПР и вынуждены платить большую «дань» американским компаниям. В структуре цены на разработку интегральной схемы в России затраты на покупку временных лицензий САПР достигают от 30 до 50%. Финансирование работ по созданию отечественной САПР до последнего времени не велось. А министерства предпочитали финансировать закупки временных лицензий на использование американских САПР, и такие бессистемные дорогостоящие закупки продолжаются до сих пор. Все это, а также практически неорганизованный процесс разработки интегральных схем в масштабах страны привело к высоким ценам и, как следствие, к полной неконкурентоспособности российских разработок. Их недостатками являются не только высокие цены, но и длительное время разработки, поэтому решение задачи импортозамещения в обозримые сроки и за разумные деньги представляется маловероятным. «Холодным душем» для чиновников стало сообщение о введенном США запрете на продажу САПР для ряда ведущих предприятий.

Завтра

Проблема в том, что микроэлектронную САПР сегодняшнего уровня быстро не создашь. Лидирующие американские коммерческие САПР создавались десятилетиями. В каждой из ведущих американских компаний, владеющих коммерческими САПР, более тысячи высококвалифицированных высокооплачиваемых специалистов ежедневно напряженно работают над развитием и поддержкой САПР. Поэтому надежда на то, что единственный в России научный институт, занимающийся исследованиями САПР микроэлектронных изделий, силами 45 ученых, сконцентрированных в первую очередь на достижении отдельных результатов мирового уровня и публикации статей в ведущих научных журналах, смогут создать конкурентоспособную коммерческую САПР, по меньшей мере наивна. Кроме того, САПР, безусловно, важный, но далеко не единственный компонент разработки. Важно иметь всю инфраструктуру разработки, в которую помимо САПР и компьютерных систем входят развитые, хорошо отлаженные библиотеки элементов; проверенные на кремнии так называемые IP-блоки, представляющие собой различные стандартные интерфейсы и алгоритмические решения; технологически ориентированные компиляторы схем памяти, а также все разнообразие конструкторско-технологических решений по производству интегральных схем, такие как базовые матричные кристаллы (БМК), программируемые логические интегральные схемы (ПЛИС), Multi Project Wafer (много проектов на одной пластине) и т. д. Наличие такой инфраструктуры и ее доступность, в том числе стоимостная, позволяет обеспечить быстрое, надежное и дешевое проектирование.

Как правило, создание такой инфраструктуры — непосильная задача для отдельно взятого дизайн-центра, поэтому ее должно взять на себя государство. Необходимо полностью поменять политику государственного финансирования, переместив фокус с разрозненных проектов создания микроэлектронных устройств на создание инфраструктуры разработки таких устройств, доступной для всех предприятий страны.

Решение этой задачи должно, на мой взгляд, проходить в три этапа:

  • создание начального варианта инфраструктуры на базе дизайн-центра коллективного пользования путем аккумулирования там на взаимовыгодных основах всего коллективного опыта разработок российских компаний, включая отечественные САПР;
  • доведение начального варианта инфраструктуры до полного путем разработки и реализации дорожной карты по закрытию белых пятен — отсутствующих компонентов желаемой полной инфраструктуры — с помощью новых российских разработок или закупки западных компонентов;
  • создание полностью российской инфраструктуры, включая САПР, на базе государственной программы.
Важным результатом реализации такого подхода будет возможность для любого дизайн-центра и даже для каждого отдельного специалиста получить по интернету доступ ко всем ресурсам дизайн-центра коллективного пользования и за разумную оплату осуществить полный цикл проектирования требуемого микроэлектронного устройства с заказом его производства.

А вот каким будет глобальный результат:

  • возможность привлечения к выполнению программы импортозамещения колоссального количества дизайнеров;
  • существенное (на порядок) снижение стоимости и сокращение сроков разработки.
Безусловно, самая сложная задачей из перечисленных — разработка конкурентоспособной САПР, но эта задача выполнима, тем более по частям и за достаточно длительное время.

Но существует и другая возможность. С переходом к наноразмерным интегральным схемам существующие методы проектирования балансируют на грани своих возможностей. Эволюционные методы развития исчерпали себя, то есть назрели революционные изменения и переход к принципиально новым методам проектирования.

Если мы, опираясь на наши научные возможности, сумеем предугадать новые тенденции и начнем осваивать их раньше других, тогда мы станем мировыми лидерами в области САПР наноэлектронных изделий.


Все права защищены. © 2004-2024 Группа компаний «ЛЕДАС»

Перепечатка материалов сайта допускается с согласия редакции, ссылка на isicad.ru обязательна.
Вы можете обратиться к нам по адресу info@isicad.ru.